共發射極接法 三極管的特性曲線,即
其中, iB是輸入電流,vBE是輸入電壓,加在B、E兩電極之間;iC是輸出電流,vCE是輸出電壓,從C、E兩電極取出。 共發射極接法的供電電路和電壓-電流關系如圖1所示。
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圖1 共發射接法的電壓電流關系 |
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圖2 | 1.輸入特性曲線 簡單地看,輸入特性曲線類似于發射結的伏安特性曲線,現討論 iB和 vBE之間的函數關系。因為有集電結電壓的影響,它與一個單獨的PN結的伏安特性曲線不同。為了排除 vCE的影響,在討論輸入特性曲線時,應使 vCE=const(常數)。 vCE的影響可以用三極管的內部的反饋作用解釋,即 vCE對 iB的影響。
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圖3 |
共發射極接法的輸入特性曲線見圖2,其中vCE=0V的那一條相當于發射結的正向特性曲線。當vCE≥1V時, vCB=vCE- vBE>0,集電結已進入反偏狀態,開始收集電子,且基區復合減少, IC / IB增大,特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時,曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內部反饋所致,右移不明顯說明內部反饋很小。 輸入特性曲線的分區:死區、非線性區、線性區。
2.輸出特性曲線 共發射極接法的輸出特性曲線如圖3所示,它是以iB為參變量的一族特性曲線,F以其中任何一條加以說明。當vCE=0V時,因集電極無收集作用,ic=0。當vCE微微增大時,發射結雖處于正向電壓之下,但集電結反偏電壓很小,如vCE<1 V;vBE=0.7 V; vCB= vCE-vBE≤0.7V 。集電區收集電子的能力很弱,ic主要由vCE決定。當vCE增加到使集電結反偏電壓較大時,如vCE ≥1V,vBE≥0.7 V,運動到集電結的電子基本上都可以被集電區收集,此后vCE再增加,電流也沒有明顯的增加,特性曲線進入與vCE軸基本平行的區域 (這與輸入特性曲線隨vCE增大而右移的原因是一致的) 。
輸出特性曲線可以分為三個區域: 飽和區--iC受vCE顯著控制的區域,該區域內vCE的數值較小,一般vCE<0.7 V(硅管)。此時發射結正偏,集電結正偏或反偏電壓很小。 截止區--iC接近零的區域,相當iB=0的曲線的下方。此時,發射結反偏,集電結反偏。 放大區--iC平行于vCE軸的區域,曲線基本平行等距。此時,發射結正偏,集電結反偏,電壓大于0.7 V左右(硅管)
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