絕緣柵型場效應晶體管的特性曲線

MOSFET的特性曲線包括轉移特性和輸出特性。

NMOS場效應管的輸出特性同NPN晶體管的輸出伏安特性曲線類似，只是參變量為柵-源電壓U_GS。N溝道增強型MOS的轉移特性曲線和輸出特性曲線如圖1所示。

(a)轉移特性曲線	(b)輸出特性曲線
圖1 N溝道增強型MOS的轉移特性曲線和輸出特性曲線

由圖1(a)可知，當U_GS<U_GS（TH）時，導電溝道不存在，沒有漏極電流I_D=0；當U_GS> U_GS（TH）時，才會有漏極電流。將U_GS（TH）稱為開啟電壓。輸出特性曲線分成四個區域：可變電阻區、恒流區、擊穿區、截止區。

1、可變電阻區

當U_GS> U_GS（TH），且U_DS<U_GS- U_GS（TH）時，管子處于可變電阻區。隨著U_GS的增加，I_D增加，此時管子就像一個電阻，改變U_GS，曲線斜率將發生變化，等效于輸出電阻變化，故稱可變電阻區。

2、截止區

當U_GS< U_GS（TH）時，管子處于截止區。I_D=0，相當于管子開路。

3、恒流區

當U_GS> U_GS（TH），且U_DS> U_GS- U_GS（TH）時，管子處于恒流區。在該區域，U_DS變化，I_D基本上保持不變。

4、擊穿區

當U_DS>U_DS（BR）時，將會使漏區與襯底的PN結反向擊穿，進入擊穿區使MOSFET損壞。

耗盡型MOSFET由于具有原始導電溝道，所以U_GS=0時漏極電流已經存在，用I_DSS表示，稱為飽和電流。N溝道耗盡型MOS管的轉移特性曲線和輸出特性曲線如圖2所示。

(a)轉移特性曲線	(b)輸出特性曲線
圖2 N溝道耗盡型MOS管的轉移特性曲線和輸出特性曲線

由圖2(a)可見，無論柵-源電壓U_GS是正是負還是零，都能控制電流I_D，這個特點使其應用有更大的靈活性。與增強型MOSFET一樣，耗盡型也有N溝道和P溝道之分。無論哪種類型MOSFET，使用時必須注意所加電壓的極性。

增強型和耗盡型絕緣柵場效應晶體管的主要區別在于是否有原始導電溝道。所以，如果要判別一個沒有型號的MOSFET是增強型還是耗盡型，只要檢查它在零柵壓下，給漏、源極間加電壓時是否能導通，就可以作出判別。