半導體三極管的參數

    半導體三極管的參數分為直流參數、交流參數和極限參數三大類。
    1.共發射極直流電流放大系數
           ＝（I_C－I_CEO）/I_B ≈ I_C / I_B|v_CE＝const

    在放大區基本不變。在共發射極輸出特性曲線上，通過垂直于X軸的直線(v_CE＝const)來求取I_C/I_B ，如圖1所示。在I_C較小時和I_C較大時，會有所減小，這一關系見圖2。

    2.集電極－基極間反向飽和電流I_CBO
    I_CBO的下標CB代表集電極和基極，O 是Open的字頭，代表第三個電極 E 開路。它相當于集電結的反向飽和電流。
    2.集電極－發射極間的反向飽和電流I_CEO
    I_CEO和I_CBO有如下關系
             I_CEO＝（1＋）I_CBO
    相當基極開路時，集電極和發射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線I_B＝0那條曲線所對應的Y坐標的數值，如圖3所示。

    3.共發射極交流電流放大系數β
                    b  ＝DI_C/DI_B½
    在放大區，b 值基本不變，可在共射接法輸出特性曲線上，通過垂直于 X 軸的直線求取DI_C/DI_B�；蛟趫D2上通過求某一點的斜率得到b 。具體方法如圖4所示。

    4、 集電極最大允許電流I_CM
    如圖2所示，當集電極電流增加時，b 就要下降，當b  值下降到線性放大區b  值的70～30％時，所對應的集電極電流稱為集電極最大允許電流I_CM。至于b  值下降多少，不同型號的三極管，不同的廠家的規定有所差別�？梢�，當I_C＞I_CM時，并不表示三極管會損壞。
  5、 集電極最大允許功率損耗P_CM
    集電極電流通過集電結時所產生的功耗，P_CM＝ I_CV_CB≈ I_CV_CE，因發射結正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結上。在計算時往往用V_CE取代V_CB。
  6、 反向擊穿電壓
    反向擊穿電壓表示三極管電極間承受反向電壓的能力，其測試時的原理電路如圖5所示。

        1. V_(BR)CBO——發射極開路時的集電結擊穿電壓。下標 BR 代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，C、B代表集電極和基極，O 代表第三個電極 E 開路。
    2. V_(BR)EBO——集電極開路時發射結的擊穿電壓。
    3. V_(BR)CEO——基極開路時集電極和發射極間的擊穿電壓。
    對于V_(BR)CER表示 BE 間接有電阻，V_(BR)CES表示 BE 間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關系：
                    V_(BR)CBO≈V_(BR)CES＞V_(BR)CER＞V_(BR)CEO＞V_(BR)EBO
    由最大集電極功率損耗 P_CM、I_CM 和擊穿電壓V_(BR)CEO，在輸出特性曲線上還可以確定過損耗區、過電流區和擊穿區，見圖6。